شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله
Publish place: 15th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,027
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE15_389
Index date: 6 February 2007
شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله abstract
دراین مقاله یک ترانزیستور HEMT دو کاناله بر اساسGaN با استفاده از مدل موازنه انرژی شبیه سازی شده است. هدف از این کار بررسی تونل زدن حامل ها بین دو کانال ها بین دو کانال و اثر آن بر مشخصه ترانزیستور بوده است و نمودارهای ولتاژ جریان در حالت کوانتومی و همچنین درحالت بدون اثرات کوانتومی مقایسه شده اند. نمونه با اثر کوانتومی تغییرات شدیدی پتانسیل را نرم تر می کند و اثرات تونل زنی را وارد می کند. همچنین این ترانزیستور با نمونه مشابه ولی تک کاناله هم از نظر نمودار جریان ولتاژ و هدیات انتقالی مقایسه شده است. نشان داده شده که اضافه کردن کانال باعث بهبودی منحنی هدایت عبوری در جریان های زیاد می شود.
شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله Keywords:
شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله authors
رحیم فائز
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
عقیل باجلان
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران، مرکز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :