طراحی و تحلیل سوئیچ سری جدید RF MEMS ، با ولتاژ تحریک پایین
Publish place: International Conference on Engineering, Art and Environment
Publish Year: 1393
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 683
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
CEAE01_138
Index date: 5 August 2015
طراحی و تحلیل سوئیچ سری جدید RF MEMS ، با ولتاژ تحریک پایین abstract
در این مقاله ساختار جدیدی از سوئیچ خازنی سری MEMS ، با استفاده از دو فنر L-shaped ارائه شده است. با استفاده از این دو فنر که بین نگه دارنده و بیم تعبیه شده اند ثابت فنر و در نتیجه ولتاژ تحریک کاهش داده شده است. با قراردادن برجستگی در انتهای بیم به افزایش نیروی تماس و کاهش سطح تماس برای جلوگیری از چسپندگی نیز استفاده شده است که با شبیه سازی سوئیچ در نرم افزار Intellisuite ولتاژ تحریک در حد 2ولت بدست آمده است. این سوئیچ دارای ابعاد کوچک به اندازه110×60 میکرومتر است که در مقایسه با سوئیچ های حالت کانتیلور تحریک الکتروستاتیک داری ولتاژ پایینی میباشد. همچنین با شبیه سازی ساختار سوئیچ در نرم افزار HFSS9.1 پارامترهای پراکندگی آن را بدست آورده شد که توان تلفاتی دارای مقدار 0.07dB و توان بازگشتی دارای مقدار 25dB ، ایزولاسیون 17dB در فرکانس 40GHz میباشد که در مقایسه با سوئیچهای دیگر دارای ولتاژ کمتری می باشدکه نسبت به سوئیچهای دیگر عملکرد بهتری دارد
طراحی و تحلیل سوئیچ سری جدید RF MEMS ، با ولتاژ تحریک پایین Keywords:
طراحی و تحلیل سوئیچ سری جدید RF MEMS ، با ولتاژ تحریک پایین authors
خدیجه خدادادی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
بهرام عزیزالله گنجی
دانشیار و عضو هیئت علمی گروه برق الکترونیک دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :