بررسی اثر فاصله سیم ملتهب تا زیر لایه سیلیکون در فرآیند تولید فیلم نازیک کربن الماس گونه
Publish place: The first crystal growth conference of Iran
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 949
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BLUR01_005
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
در این مقاله قطعه ای سیلیکونی به عنوان زیر لایه انتخاب شد. سپس این قطعه در فاصله ای از سیم ملتهب قرار گرفت که کمترین فاصله 0/5 سانتیمتر و بیشترین فاصله در حدود 1/58 سانتیمتر است. سپس لایه نشانی کربن الماس گونه به روش ملتهب صورت گرفت. پس از تولید لایه فیلم نازک بر روی قطعه، شکل های گل مانند برجسته ای در ساختار فیلم ظاهر شد. با بررسی این گل های افتابگردانی شکل به کمک بررسی طیف سنجی پراکندگی میکرو رامان و عکس های SEM مشخص شد که پیدایش الگوهای گل مانند ناشی از اثر تنش در لایه های کربن الماس گونه بوده اند. میزان این تنش به شدت به فاصله سیم ملتهب تا زیر لایه سیلیکونی وابسته بوده است.
Authors
حمید مطهری
گروه فیزیک اتمی و مولکولی، بخش فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس
رسول ملک فر
گروه فیزیک اتمی و مولکولی، بخش فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس
فاطمه صحراییان
گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال، دربند، تهران
احمد بهرامی
گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :