یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی CMOS کم مصرف برای گیرنده ی مخابرات نوری 5Gb/S
Publish place: The Second National Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 581
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF02_287
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی برای گیرنده های مخابرات نوری ارائه می شود. این تقویت کننده براساس ساختار RGC اصلاح شده می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه و از تکنیک inductive peaking نیز برای افزایش پهنای باند استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی μm CMOS 0.18 طراحی وتوسط نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی 54dBΩ پهنای باند 4.7GHz و توان مصرفی 3.3mW را نشان می دهد که نشان دهنده ی عملکرد مناسب تقویت کننده ی پیشنهادی برای کاربردهای 5Gb/s می باشد. تحلیل مونت- کارلوی به دست آمده نشان می دهد که تغییرات ابعاد ترانزیستورها اثر چندانی بر شاخص های عملکرد مدار مانند بهره و پهنای باند ندارد.
Keywords:
Authors
مژده رفیعی
کارشناس ارشد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مهدی دولت شاهی
استادیار- دانشکده مهندسی برق- دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :