مدار مرجع ولتاژ با قابلیت کار در ناحیه زیرآستانه مناسب استفاده در کارت های هوشمند
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 4، Issue: 4
Publish Year: 1392
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 547
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-4-4_008
Index date: 5 April 2016
مدار مرجع ولتاژ با قابلیت کار در ناحیه زیرآستانه مناسب استفاده در کارت های هوشمند abstract
یک مدار مرجع ولتاژ CMOS بر اساس اختلاف ولتاژ گیت – سورس یک ترانزیستور از نوع PMOS و دو ترانزیستور از نوع NMOS ارائه شده است. به منظور کاهش مصرف جریان، المان های پسیو این مدار به حداقل رسیده است و همچنین تمام ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. جهت بهبود نسبت حذف نویز تغذیه ( PSRR ) در بخش بایاس از یک مدار بایاس با وابستگی کم به تغییرات تغذیه استفاده شده است. جریان مصرفی این مرجع ولتاژ 154 نانو آمپر در ولتاژ تغذیه 3/3 ولت می باشد و ولتاژ مرجع 27 / 1 ولت را ایجاد می کند. ثابت دمایی این مرجع ولتاژ 59ppm/Cمی باشد. مقدار نسب حذف نویز تغذیه در فرکان سهای 100Hz و 10MHz به ترتیب 92dB و66dB می باشد. این مرجع ولتاژ یک ولتاژ ثابت به منظور استفاده در کنار رگولاتور ایجاد می کند و با توجه به مشخصات گفته شده، مناسب استفاده در کارت های هوشمند بدون تماس می باشد.
مدار مرجع ولتاژ با قابلیت کار در ناحیه زیرآستانه مناسب استفاده در کارت های هوشمند Keywords:
مدار مرجع ولتاژ با قابلیت کار در ناحیه زیرآستانه مناسب استفاده در کارت های هوشمند authors
سمیه یوسفی
کارشناس ارشد برق الکترونیک، دانشگاه شاهد
محسن جلالی
استادیار دانشکده فنی، دانشگاه شاهد