طراحی تقویت کننده کم نویز با gm افزایش یافته مبتنی بر استفاده از سلف فعال در کاربردهای با پهنای باند بسیار بالا
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 6، Issue: 1
Publish Year: 1394
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 1,131
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-6-1_005
Index date: 5 April 2016
طراحی تقویت کننده کم نویز با gm افزایش یافته مبتنی بر استفاده از سلف فعال در کاربردهای با پهنای باند بسیار بالا abstract
در این مقاله ساختار جدیدی بر پایه سلف فعال به منظور بهینه سازی عملکرد نویز و سطح مصرفی یک تقویت کننده کم نویز (LNA) فراپهن باند گیت- مشترک با mg افزایش یافته معرفی شده که در آن از یک تقویت کننده سورس- مشترک به عنوان طبقه تقویت mg استفاده شده است. همچنین سلف غیر فعال درون تراش های بزرگ مورد نیاز در طراحی - LNA ، توسط یک سلف فعال جایگزین شده است که این موضوع مساحت کل تراشه LNA پیشنهادی را به میزان قابل ملاحظه ای کاهش می دهد. این تقویت کننده در فناوری pm 0/18 استاندارد CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. بهره توان مستقیم و مسطح (فرمول در متن اصلی مقاله) ایزولاسیون معکوس (S12) کمتر از 56/1dB - ،تلفات بازگشتی ورودی (S11) کمتر از 9/64dB - و عدد نویز (NF) 4/9dB - 4/6 در کل محدوده فرکانسی 10/6GHz - 3/1 به دست آمدهاند. همچنین مقدار توان تلف شده به ازای ولتاژ تغذیه 1/8v، 13/6mW می باشد.
طراحی تقویت کننده کم نویز با gm افزایش یافته مبتنی بر استفاده از سلف فعال در کاربردهای با پهنای باند بسیار بالا Keywords:
طراحی تقویت کننده کم نویز با gm افزایش یافته مبتنی بر استفاده از سلف فعال در کاربردهای با پهنای باند بسیار بالا authors
شیما سادات کاظمی
کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه گیلان
علیرضا صابرکاری
استادیار دانشکده فنی دانشگاه گیلان