آپ امپ با پارامترهای مطلوب در فناوری cmos در کتابخانه 0.18 میکرومتر
Publish place: 18th Conference on Electrical Engineering OF Iranian Student
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 701
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
این Paper در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE18_021
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
Abstract:
امروزه در تعداد زیادی از سیستم های الکترونیکی پیشرفته از تقویت کننده های عملیاتی (آپ امپ) به صورت بسیار گسترده ای استفاده می شود. در بسیاری از این تقویت کننده های عملیاتی به گین بالا و پهنای باند زیاد و سوئینگ مطلوب نیاز است، این موضوع طراحی این مدارهای الکترونیکی را به یک چالش بسیار بزرگ برای طراحان مدارهای آنالوگ تبدیل کرده است. در سیستم های گوناگون ساختارهای بسیار متنوعی استفاده شده است که هر کدام به نوعی یکی از ویژگی های تقویت کننده ها را بهبود می بخشد. در این مقاله سعی شده است با مدل های پارامتری مناسب به بهترین شرایط برای گین، پهنای باند و سوئینگ برسیم. البته توجه شده است که بقیه شرایط مدار دستخوش تغییرات بد و نامطلوبی نشوند و بهترین مقادیر را به خود اختصاص دهند.
Keywords:
Authors
محمد عمادی
مدرس مدعو دانشگاه های (پیام نور، آزاد، فنی و حرفه ای شهدا و غیرانتفاعی) گلپایگان
محمدباقر توکلی
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اراک
نعمت الله توکل فر
عضو هیئت علمی دانشگاه پیام نور گلپایگان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :