مدل سازی وطراحی ترانزیسترهای بر پایه نانو وایر سیلیکانی
Publish place: 18th Conference on Electrical Engineering OF Iranian Student
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 611
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ISCEE18_045
Index date: 2 July 2016
مدل سازی وطراحی ترانزیسترهای بر پایه نانو وایر سیلیکانی abstract
ترانزیستورهای نانووایر سیلیکانی می توانند با قطری در حدود چند نانومتر و با شکل های استوانه ای، مستطیلی و یا مثلثی تولید شوند. این ترانزیستورها می توانند بعنوان بلوک های اصلی برای قطعات نانوالکترونیک مانند ترانزیستورهای اثر میدان مورد استفاده قرار بگیرند.در این مقاله عملکرد نانو ترانزیستور ساختار ترانزیستور Si NWFET با نرم افزار سیلواکو، و بررسی تاثیر پارامترهای ساختار از جمله ضخامت لایه ی اکسید، ضخامت لایه ی نانووایر، میزان ناخالصی و غیره، می پردازیم و یک ساختار بهینه برای Si NWFET ارائه می کنیم. مدل سازی و در نهایت ساختار پیشنهادی از لحاظ ابعاد و پارامترهای فیزیکی بهینه سازی خواهد شد که این کار با نرم افزار سیلواکو انجام خواهد شد.
مدل سازی وطراحی ترانزیسترهای بر پایه نانو وایر سیلیکانی Keywords:
مدل سازی وطراحی ترانزیسترهای بر پایه نانو وایر سیلیکانی authors
محمدامین ناصری
گروه برق و الکترونیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد، ایران
محمدرضا شایسته
گروه برق و الکترونیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :