مدل بسته جریان - ولتاژ ترانزیستورهای نانو لوله کربنی آلاینده در ناحیه زیر آستانه
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,800
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE16_354
Index date: 25 February 2008
مدل بسته جریان - ولتاژ ترانزیستورهای نانو لوله کربنی آلاینده در ناحیه زیر آستانه abstract
در این مقاله، ما مدلی تحلیلی برای ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی به عنوان کانال جریان الکتریکی در ناحیه ی زیر آستانه ارائه نموده ایم. به منظور مدل سازی ابن نوع افزاره ها، از رابطه بازگشتی که در محاسبات عددی مدل سازیرابطه جریان ولتاژ این ترانزیستور ها برقرار می باشد، استفاده شده است و وابستگی تابع چگالی حالت ها به سطح انرژی فرمی تقریب زده شده است. ماهیت این تقریب برای ناحیه زیر آستانه درجه دو و برای ناحیه ی بالای آستانه نمایی می باشد. در ادامه، با مقایسه نتایج تحلیلی با اندازه گیری های تجربی نشان داده ایم که چنین نشان داده ایم که چنین تقریبی در ناحیه زیر آستانه معتبر است، اما در ناحیه بالای آستانه به صورت تحلیلی به پاسخ همگرایی منجر نمی شود. در پایان، روشی برای مدل سازی ناحیه بالای آستانه پیشنهاد شده است.
مدل بسته جریان - ولتاژ ترانزیستورهای نانو لوله کربنی آلاینده در ناحیه زیر آستانه Keywords:
مدل بسته جریان - ولتاژ ترانزیستورهای نانو لوله کربنی آلاینده در ناحیه زیر آستانه authors
مهدی مرادی نسب
دانشکده فنی دانشگاه تهران
هادی حسین زادگان
دانشکده فنی دانشگاه تهران
مرتضی فتحی پور
دانشکده فنی دانشگاه تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :