بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره 28nm-UTBB SOI
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 470
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0979
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
ویژگی ها و برتری های ترانزیستوری سیلیکون روی عایق باعث گسترش استفاده و جایگزینی این ترانزیستورها در مدارات مجتمع شده است، در ابتدا به مقایسه ترانزیستورهای بدنه سیلیکون با ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق می پردازیم. در ادامه به بررسی روش های کاهش اثرات پارازیتی، بهبود اثرات کانال کوتاه و بهبود مصرف توان در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق پرداخته می شود و همانطور که بیان خواهد شد این روش ها منجر به استفاده از تکنولوژی UTB و تکنولوژی UTBB می شود. با توجه به این نکته که کاهش اندازه اجزا و افزاره ها در تکنولوژی مدارات مجتمع با حداقل طول کانال شرح داده می شود لذا به تعیین ابعاد دقیق یک افزاره متناسب با طول گیت و براساس تعاریف و قوانین استاندارد می پردازیم. علاوه بر اهمیت تعیین ابعاد و پارامترهای فیزیکی لازم جهت شبیه سازی و ساخت افزاره، استخراج پارامترهای ترانزیستور سیلیکون روی عایق نظیر ولتاژ آستانه بخش مهم دیگری از پروسه توصیف و مدل سازی افزاره می باشد که در این تحقیق این موضوع نیز بررسی می شود. در پایان نتایج حاصل از تحقیق در طراحی و شبیه سازی افزاره مورد استفاده قرار می گیرد.
Keywords:
ترانزیستور سیلیکون روی عایق , ترانزیستور بدنه سیلیکون , اثرات کانال کوتاه , ولتاژ آستانه , UTBB , 28nm DIBL
Authors
محمد جمشیدی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی - دانشگاه شهرکرد
آرش دقیقی
دانشیار، دانشکده فنی- دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :