بررسی اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور در بهبود حساسیت دزمترهای اشعه ی گاما توان پایین

آرمین افشاری مقدم; محمد جوایان صراف

بررسی اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور در بهبود حساسیت دزمترهای اشعه ی گاما توان پایین

Publish place: سومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی

Publish Year: 1395

Type: Conference paper

Language: Persian

This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/491771

Document National Code:

ICESCON03_328

Index date: 6 September 2016

بررسی اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور در بهبود حساسیت دزمترهای اشعه ی گاما توان پایین abstract

دزمتر اشعه ی گاما وسیله ایست که مقدار دز جذب شده توسط اشعه ی گاما را اندازه می گیرد و این سنسور مجتمع برای کاربردهای پرتوافکنی بالاو حساسیت کم مانند استریلیزاسیون خون استفاده می شود. در این مقاله یک دزمتر ماسفت اشعه ی گاما شامل یک ترانزیستور ماسفت گیت شناور که به عنوان سنسور عمل می کند و یک ترانزیستور مرجع اتصال گیت با هندسه ی یکسان درتکنولوژی 0.13 میکرومتر TSMC شبیه سازی می شوند. ترانزیستور گیت شناوردر مدارات با توان پایین استفاده می شود. دزمتری که در این مقاله استفاده شد از شیوه ی اندازه گیری دز کلی استفاده می کند. منبع اشعه ی گاما کبالت 60 است. دراینجا اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور که به عنوان حسگر استفاده می شود را بر روی حساسیت دزمتر بررسی کردیم. برای این منظور دزمتر را با نرم افزار HSPICE شبیه سازی واثر ضخامت های مختلف ترانزیستور گیت شناور روی حساسیت بررسی شد. درنهایت این نتیجه حاصل شدکه با افزایش ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور حداقل بهبود 25 درصدی حساسیت را شاهد هستیم.

بررسی اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور در بهبود حساسیت دزمترهای اشعه ی گاما توان پایین Keywords:

دزمتراشعه ی گاما , گیت شناور , حساسیت 0.13 میکرومتر و HSPICE

بررسی اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور در بهبود حساسیت دزمترهای اشعه ی گاما توان پایین authors

آرمین افشاری مقدم

دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی(نیشابور)، گروه برق، نیشابور، ایران

محمد جوایان صراف

گروه برق، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

C. Wernli, A. Fiechtner, and J. Kahilainen, "The Direct Ion ...

N.G. Tarr, C. Plett, etc, "Limitations on MOSFET dosimeter resolution ...

Y. Wang and N.G. Tarr, etc., " A Sensitive Floating ...

A. Holmes-Siedle, L. Adams, and G. Ense, "MOS dosieters - ...

CJ. Peters, N.G. Tarr, K. Shortt, I. Thomson, and GF. ...

Tarr, _ G., Shortt, K., , Yanbin, Wang, & Thomson, ...

Arsalan, M., Shamim, A., Shams, M, Tarr, N. G., & ...

yadegari, behzad (2012). Low Power Gamma-Ray FGMOSFET Dosimeter in 0.13 ...

G.S. Ristic, "Influence of ionizing radiation and hot carrier injection ...

K.F. Galloway, M. Gaitan, and T.J. Russell, " A Simple ...

A.H. Johnson, "Super Recovery of Total Dose Damage in MOS ...

rd. /NTERNA TIONAL _ o NFERENCE oN _ AND ENGIN ...

نمایش کامل مراجع