شبیه سازی رفتار مکانیکی میکروسنسور فشار پیزورزیستوری
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 617
This Paper With 6 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_258
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
در این تحقیق رفتار مکانیکی یک میکرو سنسور فشار پیزورزیستوری به روش المان محدود شبیه سازی شده است. مقدار جابجایی دیافراگم سنسور و توزیع پتانسیل الکتریکی در پیزورزیستورهای سنسور به ازاء اعمال فشارهای مختلف، مورد بررسی قرار گرفت. با انجام تحلیل تنش ون مایزز روی سازه سنسور، مشخص شد که حداکثر تنش ون مایزز ایجاد شده در این سازه حدود 6 گیگاپاسکال می باشد که مقدار آن کمتر از حد تسلیم بوده و سنسور دچار تغییر فرم پلاستیکی نمی شود. سپس با انجام تحلیل خستگی روی سنسور مذکور معلوم شد که این سنسور از عمر بسیار بالایی برخوردار است.
Keywords:
Authors
مهرزاد مدرس
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده علوم و فنون نوین، دانشگاه تهران، تهران
محمد طهماسبی پور
استادیار، دانشکده علوم و فنون نوین، دانشگاه تهران، تهران
مجتبی طوفان
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده علوم و فنون نوین، دانشگاه تهران، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :