طراحی مدل جدید تقویت کننده کم نویز کم توان موج میلی متری با تکنولوژی CMOS 0.18µm
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 810
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_441
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
در این مقاله، از یک مدل جدید تقویت کننده کم نویز با توان کم در فرکانس GHz 33 با تکنولوژی CMOS 0.18μm ارائه شده است. این تقویت کننده کم نویز از یک ساختار کسکود تک طبقه شامل دو تقویت کننده گیت مشترک (C-G) که می تواند گین مورد نیاز را در فرکانس های بالا با اتلاف توان بسیار کم تولید نماید، تشکیل شده است. طراحی تقویت کننده کم نویز (LNA ) برای رسیدن به گین توان dB 12، IIP3 به اندازه dBm 1- و نویز فیگر dB 86/3-96/2 در پهنای باند dB 3 در محدوده فرکانسی GHz 36-30 می باشد. این تقویت کننده کم نویز درای مصرف توان mW 6/7 از یک منبع تغذیه 8/1 ولتی است.
Keywords:
Authors
محسن ظفری
کارشناسی ارشد الکترونیک و مدرس دانشکده فنی و حرفه ای امام خمینی (ره) بهشهر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :