سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

بهبود ویژگی های کیفی دیودهای نورگسیل بر پایه فوتونیک کریستال ها

Publish place: National Conference on Electronics, Mechatronics and Intelligent Systems
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 854

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/522187

Document National Code:

EMIS01_008

Index date: 1 November 2016

بهبود ویژگی های کیفی دیودهای نورگسیل بر پایه فوتونیک کریستال ها abstract

در این مقاله یک دیود نورگسیل بر پایه نیمه هادی گالیوم نیتراید ( GaN ) پیشنهاد شده است، که جهت بهبود بازدهی توان نوری خروجی در ساختار آن یک لایه منعکس کننده و دو لایه فوتونیک کریستال به کار رفته است. تغییرات انجام شده و بهینه سازی پارامترهای اساسی آنها افزایشی معادل 133 درصد در توان نوری خروجی نسبت به دیود نورگسیل معمولی را به همراه داشت.

بهبود ویژگی های کیفی دیودهای نورگسیل بر پایه فوتونیک کریستال ها Keywords:

دیود نور گسیل , فوتونیک کریستال , GaN , روش شبیه سازی تفاضل متناهی حوزه زمان (FDTD)

بهبود ویژگی های کیفی دیودهای نورگسیل بر پایه فوتونیک کریستال ها authors

علی کیان

دانشگاه گلستان،

کیازند فصیحی

دانشگاه گلستان،

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Hui Gao, Kang Li, Fan-Min Kong, Xin-Lian Chen, and Zhen-Ming ...
M. R. Krames, M. O chiai-Holcomb _ G. E. Hofler, ...
E.Y. Schnitzer, C .Caneau, andT. J. Gmitter, Ultrahigh spontaneous emission ...
G aAs/GaAs/AlG aAs double heterostructo res, Appl. Phys. Lett. ol. ...
T. Fuji, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. ...
Xi, J.-Q., H. Luo, A. J. Pasquale, J. K. Kim, ...
Aliyu, Y. H., D. V. Morgan, H. Thomas, and S. ...
D. J. R. Erchak, S. H. Fan, P. Rakich, J. ...
H. Y. Ryu, J. K. Hwang, Y. J. Lee, and ...
M. Boroditsky, T. F. Krauss, R. Coccioli, R. Vrijen, R. ...
T. N. Oder, K. H. Kim, J. Y. Lin, and ...
Zhenfeng Xu, Liangcai Cao, Qiaofeng Tan, Qingsheng He, Guofan Jin, ...
X.X. Shen, Y.Z. Ren, G.Y. Dong, X.Z. Wang, Z.W. Zhou, ...
Superlattices and Microstructures 64 (2013) 303-310). ...
E. Fred Schubert; Light-E mitting Diodes, Second Edition, Cambridge University ...
Min-Yung Ke, Application of Nanosphere Lithography to LED Surface Texturing ...
A. Taflove and S. C. Hagness, C omputational E lectrodyn ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بهبود ویژگی های کیفی دیودهای نورگسیل بر پایه فوتونیک کریستال ها" توسط علی کیان، دانشگاه گلستان،؛ کیازند فصیحی، دانشگاه گلستان، نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس ملی الکترونیک،مکاترونیک و سیستم های هوشمند پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله دیود نور گسیل، فوتونیک کریستال، GaN ، روش شبیه سازی تفاضل متناهی حوزه زمان (FDTD) هستند. این مقاله در تاریخ 11 آبان 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 854 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله یک دیود نورگسیل بر پایه نیمه هادی گالیوم نیتراید ( GaN ) پیشنهاد شده است، که جهت بهبود بازدهی توان نوری خروجی در ساختار آن یک لایه منعکس کننده و دو لایه فوتونیک کریستال به کار رفته است. تغییرات انجام شده و بهینه سازی پارامترهای اساسی آنها افزایشی معادل 133 درصد در توان نوری خروجی نسبت به ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بهبود ویژگی های کیفی دیودهای نورگسیل بر پایه فوتونیک کریستال ها با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.