تأثیر میدانهای مغناطیسی کم فرکانس بر فعالیت های بیوالکتریک خودبخودی سلول عصبی حلزون

با آنکه مطالعات وسیعی در مورد اثرات بیولوژیکی میدانهای الکترومغناطیس صورت گرفته است، ولی مکانیزم این اثرات در سطح سلولی مشخص نیست. در مطالعه حاضر تأثیر میدان‌های الکترومغناطیس بر روی فعالیت بیوالکتریک نورنهای F1 حلزون باغی (Helix aspersa) با استفاده از روش ثبت داخل سلولی (Current clamp) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج این بررسی نشان می‌دهد که میدانهای مغناطیسی 50 هرتز با شدت 8mT بر فعالیت های خود به خودی سلول اثر گذاشته و 4 دقیقه پس از اعمال، میدان منجر به کاهش معنی داری در پتانسیل استراحت غشاء به میزان 33 درصد (p<0/05) ، قله هیپرپلاریزاسیون به میزان 11 درصد و مدت پتانسیل عمل به میزان 13 درصد و افزایش فاصله بین پتانسیل های عمل (interspike interval) به میزان 39% می شود. این تغییرات در 8 دقیقه اعمال میدان تا 20 دقیقه ادامه می یابد. به طوری که 20 دقیقه پس از اعمال میدان نتایج آماری نشان می دهد قله پتانسیل عمل افزایش معنی داری داشته و دامنه پتانسیل عمل نسبت به قبل از اعمال میدان 28% افزایش نشان می دهد. (p<0.05) با توجه به نتایج فوق به نظر می رسد که میدان‌های مغناطیسی با فرکانس 50 هرتز و شدت 8mT به طور مستقیم با تغییر در باز و بسته شدن کانالهای یونی پتانسیمی، سدیمی و کلسیمی منجر به فعالیت بیوالکتریک سلول می شود.