حل معادله حرکت فیلم نانوسیال روی سطح شیب دار
Publish place: 7th Iranian Seminar on Surface Engineering
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,626
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE07_108
تاریخ نمایه سازی: 29 خرداد 1387
Abstract:
حل معادله جریان نانو سیال در پایین آمدن از سطح شیب دار در این مقاله مورد بررسی قرار گرفته است . در لایه های نازک (nm100>) نیروهای واندروالس عامل ایجاد پارگی در جریان می شوند در حالی که در لایه های با ضخامت زیاد (nm 100 <) وزن عامل اساسی در ناپایداری و در نهایت پارگی در جریان است . معادله مشخصه حرکت سیال روی سطح شیب دار با استفاده از معادله ناویر استوکس و با در نظر گرفتن نیروهای واندروالس قابل بررسی است . در این مقاله معادلات حا کم بر حرکت این لایه روی سطح شیب دار با استفاده از روش اغتشاش (Perturbation) حل گردیده است.
Keywords:
Authors
محمد ریاحی
دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه علم و صنعت ایران
میثم شکوری
دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه علم و صنعت ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :