خواص فیزیکی لایه های ITO بر بستر انعطاف پذیر Poly Ethylene Terephthalate
Publish place: 3rd National Conference on Vacuum
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,540
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCV03_002
Index date: 22 August 2008
خواص فیزیکی لایه های ITO بر بستر انعطاف پذیر Poly Ethylene Terephthalate abstract
هدف از این پژوهش، بررسی خواص فیزیکی لایه های ITO بر روی دو نوع مختلف زیر لایه، بر حسب تغییر توان کندوپاش و در نهایت بدست آوردن لایه ای بهینه با مقاومت ویژه حداقل و شفافیت مناسب در محدوده مرئی می باشد. در ابتدا لایه های نازک رسانا و شفاف اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) با استفاده از هدف سرامیکی In2O3-SnO2,90-10wt%) ITO) بر روی زیرلایه های شیشه و بستر انعطاف پذیر PET به شیوه کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. پس از انجام لایه نشانی، خواص الکتریکی، اپتیکی، ساختار کریستالی و ساختار سطحی نمونه ها با کمک آنالیزهای اندازه گیری مقاومت چهار پروبی، طیف سنجی XRD, UV/VIS/IR و AFM مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که لایه های نازک ITO که بر روی بستر انعطاف پذیر PET لایه نشانی شده اند، دارای 77% میانگین درصد عبور نوری و مقاومت ویژه 9/4 ضربدر 10 به توان 3- Ωcm هستند در حالیکه بر روی زیر لایه شیشه میانگین درصد عبور نوری 83% و مقاومت ویژه 0/93 ضربدر 10 به توان 4- Ωcm است. بررسی های انجام شده نشان می دهند که با توجه به مقادیر بدست آمده، این لایه برای ساخت سلول های خورشیدی مناسب است.
خواص فیزیکی لایه های ITO بر بستر انعطاف پذیر Poly Ethylene Terephthalate authors
نگین معنوی زاده
آزمای
علیرضا خدایاری
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک
هادی ملکی
پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده لیزر و اپتیک
ابراهیم اصل سلیمانی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشک