نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V
Publish place: 3rd National Conference on Vacuum
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,928
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCV03_013
Index date: 22 August 2008
نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V abstract
در این پژوهش لایه های اکسیدی دی اکسی دسیلیسیم (SiO2) سپس نیترید سیلیسیم (Si3N4) با ضخامت مناسب، بر روی پولک ایندیم آنتیموناید ( InSb) به روش PECVD، نشانده شده است. مقدار ضخامت اکسید یکی از عواملی است که می تواند در نشت سطحی جریان در آشکارساز تابش مادون قرمز در ساختار MIS نقش مهمی داشته باشد. کلیه مراحل لایه نشانی، ضرورت غیرفعال سازی سطح نیمه هادی، کیفیت لایه نهشته شده، و تشخیص نوع زیرلایه به کمک منحنی C-V در این مقاله مورد بررسی قرار می گیرد.
نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V authors
حاجی شیرین زاده
پژوهشگاه مواد و انرژی، مشکین دشت کرج
ثریا برنای زنوزی
پژوهشگاه مواد و انرژی، مشکین دشت کرج
قدرت الله صارمی نیا
شرکت صنایع قطعات نیمه هادی، تهران
حمیدرضا سیم چی
شرکت صنایع قطعات نیمه هادی، تهران