نحوه تشکیل لایه اکسیدی روی InSb به روش PECVD و بررسی فصل مشترک توسط اندازه گیری C-V
Publish place: 3rd National Conference on Vacuum
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,867
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCV03_013
تاریخ نمایه سازی: 1 شهریور 1387
Abstract:
در این پژوهش لایه های اکسیدی دی اکسی دسیلیسیم (SiO2) سپس نیترید سیلیسیم (Si3N4) با ضخامت مناسب، بر روی پولک ایندیم آنتیموناید ( InSb) به روش PECVD، نشانده شده است. مقدار ضخامت اکسید یکی از عواملی است که می تواند در نشت سطحی جریان در آشکارساز تابش مادون قرمز در ساختار MIS نقش مهمی داشته باشد. کلیه مراحل لایه نشانی، ضرورت غیرفعال سازی سطح نیمه هادی، کیفیت لایه نهشته شده، و تشخیص نوع زیرلایه به کمک منحنی C-V در این مقاله مورد بررسی قرار می گیرد.
Authors
حاجی شیرین زاده
پژوهشگاه مواد و انرژی، مشکین دشت کرج
ثریا برنای زنوزی
پژوهشگاه مواد و انرژی، مشکین دشت کرج
قدرت الله صارمی نیا
شرکت صنایع قطعات نیمه هادی، تهران
حمیدرضا سیم چی
شرکت صنایع قطعات نیمه هادی، تهران