رشد ZnO بر روی شیشه و اثر میدان الکتریکی بر رشد و جهت مندی آنها

در دهه های اخیر تلاش فراوانی به منظور ساخت نیمرساناهای با گاف نواری پهن به خاطر کاربردهای زیاد آنها در ادوات اپتوالکتریکی صورت گرفته است. ZnO نیمرسانایی با گاف انرژی پهن و مستقیم حدود 3/3vev در دمای اتاق است و که کاربردهای فراوانی در نانوالکترونیک و نانوفتونیک دارد. در این تحقیق برای اولین بار نانوسیم های ZnO به روش اکسیداسیون مستقیم بر روی بستری از شیشه در دمای 400 درجه در هوا و یا فلویی از اکسیژن رشد داده شدند. نانو سیم های تولید شده با میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و آنالیز EDX بررسی شدند. قطر نانوسیم ها حدودmn 15-30 و طول آنها به چندین میکرون می رسید. به منظور بررسی اثر میدان الکتریکی بر جهت مندی آنها میدان های الکتریکی 10000-2000 V/m به نمونه ها حین رشد اعمال گردید. نوعی جهت مندی برای میدان های الکتریکی 5000V/m برای رشد داده شده بر روی زیر لایه Zn مشاهده گردید.