طراحی و شبیه سازی تقویت کننده مبدل امپدانس (TIA) کم نویز برای سنسور شتابسنج خازنی MEMS
Publish place: همایش ملی دانش و فناوری مهندسی برق، کامپیوتر و مکانیک ایران
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 832
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
UTCONF01_157
Index date: 9 June 2017
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده مبدل امپدانس (TIA) کم نویز برای سنسور شتابسنج خازنی MEMS abstract
در این مقاله،یک تقویت کننده مبدل امپدانس (TIA) کم نویز برای سنسور شتابسنج خازنی MEMS طراحی شدهاست که در آن پارامترهای کلیدی (نویز پایین، مساحت قطعه کم، توان تلفاتی پایین) ادوات MEMS بطور قابلملاحظه ای بهبود یافته است. تقویت کننده با استفاده از تکنولوژی TSMC .18um cmos طراحی و شبیه سازیشده است و دارای بهره 73.2dB/2، نویز جریان ارجاعی به ورودی 1.3(nA/√Hz)@1Hz ،پهنای باند 101.6MHz و توانتلفاتی فقط 739.6μW می باشد.
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده مبدل امپدانس (TIA) کم نویز برای سنسور شتابسنج خازنی MEMS Keywords:
فناوری میکروالکترومکانیکی , سنسور شتابسنج خازنی , ساختار فیدبک مقاومتی , تقویت کننده مبدل امپدانس , نویز
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده مبدل امپدانس (TIA) کم نویز برای سنسور شتابسنج خازنی MEMS authors
رامین ولیپورشیخی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه لرستان
عبدالمجید موسوی
عضو هیات علمی دانشگاه لرستان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :