بررسی جریان نشت گیت در ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پدیری بالای الکترونی AlGaN/GaN
Publish place: National Conference on Nanomaterials and Nanotechnology
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,408
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAYRC01_107
تاریخ نمایه سازی: 17 مهر 1387
Abstract:
دراین مدل تحلیلی تاثیر جریان نشت گیت برروی پارامترهای سیگنال کوچک مداربادرنظرگرفتن جریانهای سطحی , جریانهای حجمی ,جریانهای تونل زنی وجریان گسیل گرمایونی درترانزیستورهای اثرمیدان ساختارهای نامتجانس بررسی شده است. نتایج تحقیق نشان می دهدباافزایش ولتاژگیت-سورس ظرفیت خازن بطورچشمگیری افزایش می یابدواین درصورتی است که پهنای ناحیه تهی کاهش یابد و با کاهش پهنای ناحیه تهی جریان نشت گیت نیز افزایش می یابد.
Keywords:
Authors
زهرا هاشم پور
دکترا در رشته فیزیک و عضو هئا ت علمی واحد خوی
رجب یحیی زاده
دکترا در رشته فیزیک و عضو هئا ت علمی واحد خوی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :