A new design full adder based-CNTFET with low power consumption and high-speed
Publish place: پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی کامپیوتر ،برق و الکترونیک
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 586
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NSOECE05_079
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
Abstract:
In this paper, a new model for carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) is presented. In order to demonstrate the feasibility of the model, it is employed in a new full adder circuit and then simulation has been applied. The FETToy software and HSPICE simulator are utilized to study the model and circuit simulation. CNTFET data center for HSPICE software is improved toward the Stanford model. The simulation results demonstrate that using carbon nanotube based transistors, reduce power consumption of the circuit. Moreover, propagation delay of the circuits is obtained. Simulation results do not only verify that speed of the CNTFET based circuit is more than CMOS based circuit but also emphasize on the ability of carbon nanotube based circuits for replacing in the CMOS logical gates to improve the speed and power consumption
Keywords:
Carbon nanotube field effect transistor(CNTFET) , Full adder circuit
Authors
Sobhan Sheykhivand
Department of Electrical-Electronics Engineering, Urmia Branch, Islamic Azad University, Urmia, Iran
Ali Naderi Saatlo
Department of Electrical-Electronics Engineering, Urmia Branch, Islamic Azad University, Urmia, Iran
Sholeh Alaei
Department of Physics, Urmia Branch, Islamic Azad University, Urmia, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :