مطالعه عددی رفتار سازه با فونداسیون های رادیه، شمع- رادیه و میکروپایل- رادیه
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 467
This Paper With 21 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICSAU04_1015
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
Abstract:
افزایش روزافزون جمعیت، نیاز به توسعه فضاهای شهری و به دنبال آن افزایش ساخت و ساز و اجرای پروژه های عمرانیمختلف از یک سو و محدودیت زمینهای مناسب جهت احداث سازه های مورد نیاز از سوی دیگر باعث پیدایشروشهای نوین و فراوانی به منظور بهسازی و مقاوم سازی زمین شده است. آن چه که باعث می شود یک روش بر روشدیگر برتری یابد پارامترهای اقتصادی، شرایط و مشکلات اجرایی، امکانات موجود و محدودیت های مکانی و زمانی و... می باشد. در این پژوهش با استفاده از نرم افزارهای Etabs و Plaxis به بررسی و مدلسازی عددی رفتار ساز با فونداسیون های رادیه، شمع- رادیه و میکروپایل- رادیه پرداخته شد که نتایج نشان میدهد اندرکنش سازه- فونداسیوندر سازه های بلند مرتبه، منجر به افزایش تغییرمکان های قایم و توسعه نواحی پلاستیک در زیر و اطراف فونداسیونسازه ها می شود، همچنین افزایش بارهای وارد از سوی سازه در نتیجه افزایش تعداد طبقات باعث کاهش مقاومت برشیخاک می شود. لازم به ذکر است نتایج بیانگر عملکرد ضعیف تر فونداسیون های گسترده سطحی در برابر افزایش بارهایوارده ناشی از افزایش تعداد طبقات می باشد و همچنین ملاحظه می گردد فونداسیون های متکی بر میکروپایل ها بهترینعملکرد را در برابر افزایش بارهای وارده ناشی از افزایش تعداد طبقات دارند و فونداسیون های متکی بر شمع عملکردنسبتا مناسبی در برابر افزایش بارهای وارده ناشی از افزایش تعداد طبقات دارند.
Authors
سهیل قره
دانشیار بخش فنی و مهندسی، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران
شروین رمضانی
دانشجوی کارشناسی ارشد عمران، موسسه آموزش عالی سبحان، نیشابور، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :