شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید

در این مقاله ترانزیستور حساس به یون برومید شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی حساسیت ترانزیستور مورد نظر به پارامترهایی مانند ضخامت و جنس اکسید گیت و طول گیت برای رسیدن به بالاترین حساسیت را ارایه می کند. براساس نتایج شبیه سازی با افزایش غلظت برومید، ولتاژ آستانه ISFET بطور خطی افزایش می یابد علاوه براین با افزایش مولار برومید، ولتاژ آستانه با افزایش ضخامت اکسید و افزایش طول کانال، افزایش می یابد. همینطور بیشترین نرخ افزایش ولتاژ آستانه ISFET با افزایش مولار برومید، به ترتیب برای جنس های اکسید گیت Si3N4، ، Al2O3 و Ta2O5 بدست آمده اند.

شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید Keywords:

ترانزیستور اثر میدان , یون برومید , حساسیت , ولتاژ آستانه

شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید authors

سمیه شاکرنسب

دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی گروه برق

عبدالنبی کوثریان

دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی گروه برق

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/652004

Document National Code:

NCNNN01_125

Index date: 26 September 2017

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

شاکرنسب، سمیه و کوثریان، عبدالنبی،1395،شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید،National Conference on Nanostructure, Nanosience and Nanoengineering 2017،Kashan،https://civilica.com/doc/652004

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395، شاکرنسب، سمیه؛ عبدالنبی کوثریان)
برای بار دوم به بعد: (1395، شاکرنسب؛ کوثریان)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Shahid Chamran University of Ahvaz

Type of center: دانشگاه دولتی

Paper count: 24,921

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

Related papers

مقاله فارسی "شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید" توسط سمیه شاکرنسب، دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی گروه برق؛ عبدالنبی کوثریان، دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی گروه برق نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس ملی نانو ساختارها،علوم و مهندسی نانو پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستور اثر میدان، یون برومید، حساسیت، ولتاژ آستانه هستند. این مقاله در تاریخ 4 مهر 1396 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 505 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله ترانزیستور حساس به یون برومید شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی حساسیت ترانزیستور مورد نظر به پارامترهایی مانند ضخامت و جنس اکسید گیت و طول گیت برای رسیدن به بالاترین حساسیت را ارایه می کند. براساس نتایج شبیه سازی با افزایش غلظت برومید، ولتاژ آستانه ISFET بطور خطی افزایش می یابد علاوه براین با افزایش مولار ... . برای دانلود فایل کامل مقاله شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.