بهبود راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسید SnO2 در مقایسه با لایه ی ITO
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 429
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ASTCONF01_018
تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396
Abstract:
برای افزایش عملکرد سلول خورشیدی معمولا به آن لایه بافر اضافه می کنند. تغییر در جنس و ساختار لایه ی بافر می تواند موجب تغییرات اساسی در راندمان و همچنین سادگی یا پیچیدگی فرآیند ساخت و هزینه های آن باشد. جایگزینی لایه ی اکسید انباشته ی SnO2 به عنوان بافر، به جای روش معمول، یعنی استفاده از لایه یITO )ایندیوم قلع اکسید، - Indium-Tin Oxide ، با فرمول شیمیایی In2O5Sn ( از جنبه های نو این پژوهش می باشد. با پیاده سازی سلول خورشیدی در نرم افزار کامسول و لحاظ معادلات ماکسول با پهنای نمونه ی، این سلول در مجاورت لایه ی بافر SnO2 به خروجی ولتاژی به میزان حدودا 65 / 0 ولت منتهی شد که در مقایسه با خروجی ولتاژ 44 / 0 ولت به ازای بهره گیری از لایه ی بافر ITO ، افزایش راندمان حدودا 40 % بدست آمد.
Keywords:
Authors
مهدی کردی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان، ایران
حسین سرآبادانی
استادیار، دانشکده برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان، ایران
شعبان رضایی برجلو
استادیار، دانشکده برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان، ایران