بهبود نوشتن در حافظه ی PCM با کاهش بیت یک عملیات

بخش بزرگی از انرژی مصرفی سیستم های کامپیوتری در حافظه اصلی مصرف می شود، که مقیاس پذیری حافظه ی پویا را محدود می کند. به همین دلیل، محققان حافظه های غیرفراری مانند حافظه Phase Change Material (PCM) را پیشنهاد داده اند، که زمان تاخیر و توان مصرفی عملیات خواندن در آن کم است. اما در عملیات نوشتن با دو مشکل، تاخیر طولانی نوشتن بیت یک و محدودیت تحمل تعداد دفعات نوشتن در هر سلول، روبرو است. تکنیک پیشنهادی با نوشتن تعداد یک های کمتر، علاوه بر بهبود تاخیر، با کاهش تعداد دفعات نوشتن، طول عمر حافظه را افزایش می دهد.

بهبود نوشتن در حافظه ی PCM با کاهش بیت یک عملیات Keywords:

Phase change memory (PCM) , محدودیت تحمل نوشتن , مواد chalcogenide

بهبود نوشتن در حافظه ی PCM با کاهش بیت یک عملیات authors

سیده حوا میرعزیزی

گروه معماری سیستم های کامپیوتری، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران، ایران

مسعود ده یادگاری

استادیار گروه معماری سیستم های کامپیوتری، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران، ایران

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/696250

Document National Code:

CITCOMP02_309

Index date: 26 February 2018

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

میرعزیزی، سیده حوا و ده یادگاری، مسعود،1396،بهبود نوشتن در حافظه ی PCM با کاهش بیت یک عملیات،2nd International Conference on Computer Engineering and Information Technology،Tehran،https://civilica.com/doc/696250

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1396، میرعزیزی، سیده حوا؛ مسعود ده یادگاری)
برای بار دوم به بعد: (1396، میرعزیزی؛ ده یادگاری)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Khajeh Nasir Toosi University of Technology

Type of center: دانشگاه دولتی

Paper count: 13,748

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

Related papers

مقاله فارسی "بهبود نوشتن در حافظه ی PCM با کاهش بیت یک عملیات" توسط سیده حوا میرعزیزی، گروه معماری سیستم های کامپیوتری، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران، ایران؛ مسعود ده یادگاری، استادیار گروه معماری سیستم های کامپیوتری، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران، ایران نوشته شده و در سال 1396 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های دانش بنیان در مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله Phase change memory (PCM) ، محدودیت تحمل نوشتن، مواد chalcogenide هستند. این مقاله در تاریخ 7 اسفند 1396 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 720 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که بخش بزرگی از انرژی مصرفی سیستم های کامپیوتری در حافظه اصلی مصرف می شود، که مقیاس پذیری حافظه ی پویا را محدود می کند. به همین دلیل، محققان حافظه های غیرفراری مانند حافظه Phase Change Material (PCM) را پیشنهاد داده اند، که زمان تاخیر و توان مصرفی عملیات خواندن در آن کم است. اما در عملیات نوشتن با دو مشکل، ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بهبود نوشتن در حافظه ی PCM با کاهش بیت یک عملیات با 12 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.