بهبود نوشتن در حافظه ی PCM با کاهش بیت یک عملیات

بخش بزرگی از انرژی مصرفی سیستم های کامپیوتری در حافظه اصلی مصرف می شود، که مقیاس پذیری حافظه ی پویا را محدود می کند. به همین دلیل، محققان حافظه های غیرفراری مانند حافظه Phase Change Material (PCM) را پیشنهاد داده اند، که زمان تاخیر و توان مصرفی عملیات خواندن در آن کم است. اما در عملیات نوشتن با دو مشکل، تاخیر طولانی نوشتن بیت یک و محدودیت تحمل تعداد دفعات نوشتن در هر سلول، روبرو است. تکنیک پیشنهادی با نوشتن تعداد یک های کمتر، علاوه بر بهبود تاخیر، با کاهش تعداد دفعات نوشتن، طول عمر حافظه را افزایش می دهد.

Keywords:

Phase change memory (PCM) , محدودیت تحمل نوشتن , مواد chalcogenide