سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد در سیال فرو مغناطیس تحت شار متغییر مغناطیسی در محفظه دندانه دار سینوسی

Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 459

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICHMT03_207

Index date: 26 February 2018

بررسی عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد در سیال فرو مغناطیس تحت شار متغییر مغناطیسی در محفظه دندانه دار سینوسی abstract

در این پژوهش عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال Fe3O4 با غلظت 3 درصد حجمی به روش دوفازی تحت میدان مغناطیسی موردبررسی قرارگرفته است. دلیل انتخاب نانو ذرات همگن نسبت به ذرات میکرو ،بحث تهنشینی میباشد که در نانوسیالات کمتر میباشد . پس از بررسی مطالعات پیشین به ایده جدید استفاده از میدان مغناطیسی غیریکنواخت خطی (میدان با شیب ثابت از کف محفظه تا سقف محفظه افزایش مییابد) در محفظه پرداختهشده است. نکته حایز اهمیت استفاده همزمان از سینوسی کردن سطح انتقال حرارت و میدان مغناطیسی غیریکنواخت خطی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد در محفظه می باشد .همچنین تمامی هندسهها تحت بارگذاری حرارتی متفاوتی در ناحیه انتقال حرارت و حریان آرام موردبررسی قرارگرفته است. با سینوسی کردن سطح انتقال حرارت در محفظه انتقال حرارت افزایشیافته است. همچنین با افزایش فرکانس سطح سینوسی در مساحت ثابت انتقال حرارت درصد افزایش مییابد همچنین با قرار دادن میدان مغناطیسی غیریکنواخت خلاف جهت گرانش بر نانو سیال مغناطیسی علاوه بر اینکه باعث میشود که نانو سیال تهنشین نشود، انتقال حرارت درصد افزایش مییابد. تاثیر توام میدان مغناطیسی و داندانه دار کردن سطح می تواند تا از 13 تا 33 درصد باعث افزایش عدد ناسلت گردد که این افزایش در اعداد گراشف پایینتر محسوس تر می باشد.

بررسی عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد در سیال فرو مغناطیس تحت شار متغییر مغناطیسی در محفظه دندانه دار سینوسی Keywords:

بررسی عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد در سیال فرو مغناطیس تحت شار متغییر مغناطیسی در محفظه دندانه دار سینوسی authors

رضا دادستانی

دانشجوی دکتری، مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان

قنبرعلی شیخ زاده

دانشیار، مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان

احمدرضا رحمتی

استادیار، مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان

مقاله فارسی "بررسی عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد در سیال فرو مغناطیس تحت شار متغییر مغناطیسی در محفظه دندانه دار سینوسی" توسط رضا دادستانی، دانشجوی دکتری، مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان؛ قنبرعلی شیخ زاده، دانشیار، مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان؛ احمدرضا رحمتی، استادیار، مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، کاشان نوشته شده و در سال 1396 پس از تایید کمیته علمی سومین کنفرانس انتقال حرارت و جرم ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله فروسیال، میدان مغناطیسی، سینوسی، جابجایی آزاد هستند. این مقاله در تاریخ 7 اسفند 1396 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 459 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این پژوهش عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال Fe3O4 با غلظت 3 درصد حجمی به روش دوفازی تحت میدان مغناطیسی موردبررسی قرارگرفته است. دلیل انتخاب نانو ذرات همگن نسبت به ذرات میکرو ،بحث تهنشینی میباشد که در نانوسیالات کمتر میباشد . پس از بررسی مطالعات پیشین به ایده جدید استفاده از میدان مغناطیسی غیریکنواخت خطی (میدان با ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی عددی جریان و انتقال حرارت جابجایی آزاد در سیال فرو مغناطیس تحت شار متغییر مغناطیسی در محفظه دندانه دار سینوسی با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.