بهبود اثرات کوتاه کانال در ترانزیستور فین فت با ساختار سراسر گیتی مکعبی
Publish place: Fifth International Conference on Electrical and Computer Engineering with Emphasis on Indigenous Knowledge
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 800
This Paper With 20 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
COMCONF05_560
Index date: 11 May 2018
بهبود اثرات کوتاه کانال در ترانزیستور فین فت با ساختار سراسر گیتی مکعبی abstract
در این تحقیق به بررسی و مطالعه ی ترانزیستورهای FINFET دو گیتی دو ماده ای پرداختیم. مدل های موجود برای این ترانزیستور و تابع پتانسیل سطحی برای این ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفت. دیدیم که برای ترانزیستورهای FINFET دو گیتی، تا کنون مدل های مختلفی که بر مبنای پتانسیل سطحی آنالیتیک و بار جریان درین می باشند منتشر شده است اما توسعه ی مدل جریان درین آنالیتیک مناسب برای این ترانزیستورها هنوز در مرحله ی تحقیق قرار دارد. با استفاده از دو ماده در گیت اثرات کوتاه کانال را به شدت بهبود دادیم. در روشهای مرسوم ،تحلیل دوبعدی پتانسیل درون کانال ترانزیستور با استفاده از پتانسیل سطحی در یک بعد و جزء تغییرات جانبی در دو بعد انجام می شود و پتانسیل نهایی برابر مجموع پتانسیل سطحی یک بعدی و پتانسیل جانبی دو بعدی است. در این روشها محاسبه پتانسیل دو بعدی به پتانسیل سطحی وابسته است که محدودیتهایی را نیز به همراه دارد. همچنین بار درون کانال در تحلیل معادله پواسون اغلب ثابت فرض می شود. در صورتی که خود بار نیز تابعی از پتانسیل درون کانال خواهد بود
بهبود اثرات کوتاه کانال در ترانزیستور فین فت با ساختار سراسر گیتی مکعبی Keywords:
بهبود اثرات کوتاه کانال در ترانزیستور فین فت با ساختار سراسر گیتی مکعبی authors
حسنا ویسی حاجی آبادی
گروه برق ، دانشکده مهندسی، واحد نیشابور ، دانشگاه آزاد اسلامی ، نیشابور ، ایران
سیدمحمد رضوی
استادیار گروه برق ، دانشکده مهندسی، واحد نیشابور ، دانشگاه آزاد اسلامی ، نیشابور ، ایران