شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستورهای با حرکت الکترون زیاد AlGaN/GaN1
Publish place: National Conference on the Application of New Technologies in Science and Engineering, Electrical and Computer and IT
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 534
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
TESCONF01_203
Index date: 7 July 2018
شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستورهای با حرکت الکترون زیاد AlGaN/GaN1 abstract
ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون که مخفف عبارت انگلیسی آن HEMT است نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحا همان fet است. این نوع ترانزیستور، بعنوان یک نوسان کنندهء موج حامل مایکروویو بکار می رود. اولین بار در سالهای 1969 بررسی شد اما تا سال 1980 ترانزیستوری که بتواند این کار را بکند هنوز به بازار نیامده بود. در این سال بود که اولین نوع آن برای تست کردن آماده شد و در سالهای 1980 تست روی آن شروع گردید. گالیم AlGaAs و آرسانید گالیم GaAs است. علت اینکه از آرسانید گالیم در دو طرف آن استفاده شده برای اینست که حرکت الکترون را در آن ارتقا دهند و این عمده ترین کار برای یک ترانزیستور در نوسان های بالاست. اکثر HEMTها از نوع کانال n هستند تا به قابلیت حرکت و در نتیجه سرعت بالاتر دست یابند. در این مقاله ترانزیستور با موبیلیتی بالای الکترون بررسی و شبیه سازی می شود. ابتدا مقدمه ای از طراحی این ترانزیستور بیان می شود که برای درک بهتر از عملکرد این نوع ترانزیستور، با استفاده از نرم افزار سیلواکو، شبیه سازی و منحنی مشخصات آن رسم می گردد.
شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستورهای با حرکت الکترون زیاد AlGaN/GaN1 Keywords:
شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستورهای با حرکت الکترون زیاد AlGaN/GaN1 authors
شاهین بازغی کیسمی
دانشجوی دکتری الکترونیک، دانشگاه آزاد واحد گرمسار، ایران
عبداله عباسی
استادیار, دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر, دانشگاه سمنان ,سمنان, ایران