الکترونیک در ابعاد اتمی
Publish place: International Congress on Science and Engineering
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 654
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
GERMANCONF01_185
Index date: 17 August 2018
الکترونیک در ابعاد اتمی abstract
مدارها در بخش الکترونیک از ترانزیستورهای NMOS و Pmos به صورت مکمل در کناره هم قرار گرفته اند و به مجموعه ی این مدارها COMS نامیده می شود. در نتیجه امروزه بیشتر مدارها بر روی CMOS ها برقرار است. در نیمه قرن بیستم تحولی عظیم در ادوات الترونیکی ایجاد شد و ترانزیستورها در ساخت مدارات الکترونیکی مجتمع به نیازهای اساسی تبدیل شده است. ساختار نیمه هادی امروزه در بخش مدارهای نیمه رسانا استفاده می شود OFET عملکردن بایان را به عهده دارند و با توجه به اینکه ساختار خازنی در گیت با وارد شدن الکترودهای درین و سورس در مجاورت عایق گیفت و همینطور تشکیل یک کانال هدایت کنترل با ولتاژ گیت می باشد برای این منظور لوله ها با کانال ها در زمینه ی ارتباط ها و سرعت داده ها بیش از اندازه قابل اهمیت می باشد. در اولین نسل از ترانزیستورها می توان گفت با بزرگ بودن مدار پیچیدگی آنها کمتر بود ولی با کوچک شدن آنها پیچیدگی مدارها نیز بیشتر شد. در سال 1895 لایه های اتصالی در بین مدارها بسیار مهم بود ولی با وارد شدن نانو به این عرصه می توان گفت در سال تعداد لایه ها از 0222 عدد به پنج عدد رسید.
الکترونیک در ابعاد اتمی Keywords:
الکترونیک در ابعاد اتمی authors
ریوف میلان نورانی
کارشناس مهندسی پزشکی دانشگاه علوم پزشکی ارومیه
آیدین مرادخانی
عضو باشگاه پژوهشگران و محققین ایران
مهلا صنفی
کارشناس مهندسی پزشکی دانشگاه علوم پزشکی ارومیه
الهام نادرعلی
کارشناس مهندسی پزشکی دانشگاه علوم پزشکی ارومیه