بررسی اثر دامنه سیگنال تزریقی بر روی نویزفاز اسیلاتورحلقوی در تکنولوژی180nm CMOS
Publish place: Secound International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 461
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ISBNCONF02_016
Index date: 26 November 2018
بررسی اثر دامنه سیگنال تزریقی بر روی نویزفاز اسیلاتورحلقوی در تکنولوژی180nm CMOS abstract
در این مقاله، ساختاری ساده جهت پیاده سازی در اسیلاتور حلقوی ارایه شده است که اثرات تغییر دامنه سیگنال تزریقی بر روی نویزفاز را با پیاده سازی روش قفل تزریقی در این ساختار بررسی کرده ایم. در ساختار ارایه شده، نیازی به هیچ المان اضافی مانند مقاومت وخازن نیست و تنها یک ترانزیستور NMOS و یک ترانزیستور PMOS برای ساخت سلول تاخیر کفایت میکند. شبیه سازی در نرمافزار ADS2008 و با استفاده از کتابخانه 180nm شرکت TSMC بدین صورت انجام پذیرفت که با تزریق سیگنالی هم فرکانس با اسیلاتور و تغییر دامنه این سیگنال به صورت پله ای از مقدار 0,1 تا 0,6 mA با پله های0,1 mA ، نویز فاز را به ازای آفست فرکانسی 100KHZ-10MHZ بدست آوردیم که بر اساس نتایج بدست آمده، نویزفاز حدود %20 بهبود یافت.
بررسی اثر دامنه سیگنال تزریقی بر روی نویزفاز اسیلاتورحلقوی در تکنولوژی180nm CMOS Keywords:
بررسی اثر دامنه سیگنال تزریقی بر روی نویزفاز اسیلاتورحلقوی در تکنولوژی180nm CMOS authors
مجتبی نیک مرام
دانشجو کارشناسی ارشد مدارهای مجتمع الکترونیک، موسسه آموزش عالی ادیبان گرمسار
آیدین تفنگدارزاده
استادیار موسسه آموزش عالی ادیبان گرمسار