اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 16، Issue: 2
Publish Year: 1395
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 373
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_PSI-16-2_014
Index date: 20 January 2019
اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی abstract
در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانونوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانوسیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان میدهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در انرژی صفر، تغییر میکند. به خصوص در نانوسیم پلی استیلنی این تغییرات بیشتر مشاهده میشود. میزان جابهجایی مکان ضد تشدیدها در طیف رسانش، نسبت به تغییر محل نقص پیوندی نیز قویا به نوع و شکل ساختار سامانه مرکزی وابسته است.
اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی Keywords:
اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی authors
حسن ربانی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد . مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
محمد مردانی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد . مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
سمانه مقبل
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد