اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانونوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانوسیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان میدهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در انرژی صفر، تغییر میکند. به خصوص در نانوسیم پلی استیلنی این تغییرات بیشتر مشاهده میشود. میزان جابهجایی مکان ضد تشدیدها در طیف رسانش، نسبت به تغییر محل نقص پیوندی نیز قویا به نوع و شکل ساختار سامانه مرکزی وابسته است.

Keywords:

نانونوار گرافن , پلی استیلن , حرکت پیوند , نقص , تنگابست , رسانش الکترونی