افزایش ولتاژ شکست به کمک صفحه میدان در ترانزیستورهای قدرت با قابلیت حرکت بالای الکترون (HEMTs) مبتنی بر AlGaN/GaN
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,868
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_120
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
Abstract:
در این مقاله تاثیر بکارگیری تکنیک صفحه میدان درونی بر افزایش ولتاژ شکست و جریان درین _ سورس در ترانزیستورهای قدرت با قابلیت حرکت بالای الکترون مبتنی بر AlGaN/GaN را مورد بررسی قرار داده ایم. در ساختار صفحه میدان درونی، صفحه میدان درونی به گیت متصل می باشدوتک صفحه میدان به سورس متصل می باشد.شیوه طراحی قانونمندی برای افزاره با صفحه میدان درونی ارائه شده است که در آن از شبیه سازی دو بعدی جهت بیشینه نمودن همزمان درین – سورس و ولتاژشکست به کار گرفته می شود. با استفاده از تحلیل عددی نشان داده ایم که صرفا با بهینه سازی ضخامت لایه غیر فعال کننده Si3N4 در زیر تک صحفه میدان ، طول صفحه میدان درونی در فاصله بین گیت- درین و طول تک صفحه میدان در فاصله بین سورس- درین، در ساختار صفحه میدان درونی بیشترین بهبود در بیشینه ولتاژ شکست و بیشینه جریان درین _ سورس به دست می آید.
Authors
مرتضی فتحی پور
دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران ،آزمایشگاه مدل سازی و شبیه سازی
رضا آزادواری
دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران ،آزمایشگاه مدل سازی و شبیه سازی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :