مدلسازی مقاومت حافظه دار (ممریستور)
Publish place: 1st Electrical Engineering Conference
Publish Year: 1389
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 3,190
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
YAZDEEC01_041
Index date: 28 June 2010
مدلسازی مقاومت حافظه دار (ممریستور) abstract
در سال 1971 تئوری وجود چهارمین عنصر اصلی مدار به نام ممریستور توسط lean chua مطرح و با پیشرفت علم درمقیاس نانو مدل فیزیکی آن در سال 2008 توسط دانشمندان گروه HP ساخته شد این عنصر غیرفعال، حافظه دار، آنالوگ، کوچک، دارای سرعت سوئیچینگ بالا بوده و قابلیت یکپارچه سازی با مدارات مجتمع را دارد حال برای آنکه بتوانیم بهره برداری مناسبی از این عنصر داشته باشیم باید کاربردهای خاصی شناسایی شوند که درآنها ویژگی های بی همتای ممریستور، امکاناتی را در اختیار بگذارد که توسط دیگر عنصرهای رایج امروز قابل دستیابی نباشد بدین منظور باید عملکرد مدل رفتاری ممرسیتور کاملا بررسی و مشخصات آن استخراج شود.
مدلسازی مقاومت حافظه دار (ممریستور) Keywords:
مدلسازی مقاومت حافظه دار (ممریستور) authors
فرحناز ذاکریان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
ستار میرزاکوچکی
دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران
افسانه شادآرام
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :