تاثیر PH برروی لایه نشانی الکتروشیمیایی لایه های نازک نیکل روی Si+n111

دراین تحقیق ما تاثیر PH را برروی جوانه زنی و رشد نیکل ز حمامهای وات با PH مختلف برروی Si+n111 مورد مطالعه قرار داده ایم نتایج ولتامتری سیکلی و جریان گذرا ثبت شده در طی لایه نشانی الکتروشیمیایی نیکل روی Si+n111 برای ارزیابی نشست الکتروشیمیایی نیکل استفاده شده است نتایج نشان دادند که نیکل از پتانسیل اسمی V 0.7- شروع به رشد برروی Si+n111 می کند با افزایش سرعت جاروب منحنی های ولتامتری سیکلی باعث انتقال پیکهای احیای نیکل به سمت مقادیر منفی تر می شوند. نتایج نشان دادند که با کاهش PH جوانه زنی با سرعت بیشتری صورت گرفته در نتیجه جوانه های ریز کمتر از 100 nm بدست آمده و لایه های نازک نیکل برروی زیرلایه تشکیل می شود.

Keywords:

نیکل , لایه نشانی الکتروشیمیای , جوانه زنی و رشد , تئوری شریفکیر , هیلز , Si+n111