سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

تحلیل تاثیر تغییرات معماری FIN بر جریانDrain در ترانزیستورهای FINFET

Publish place: Fifth National Conference on Electrical and Mechatronics Engineering of Iran
Publish Year: 1398
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 616

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/988353

Document National Code:

ICELE05_020

Index date: 15 February 2020

تحلیل تاثیر تغییرات معماری FIN بر جریانDrain در ترانزیستورهای FINFET abstract

تکنولوژیFINFET1 یکی از راه حلهای نهایی برای قانون Moore است اخیراپژوهش های فراوانی برای یافتن جایگزین مناسبی به جای تکنولوژی CMOS صورت گرفته است. تکنولوژی CMOS2 به دلیل داشتن برخی محدودیتها مانند اثر کانال کوتاه، تلفات توان، جریان نشتی و غیره، کاربرد مدارهای الکترونیکی در مقیاس نانو را با چالش جدی روبرو کرده است. ترانزیستورFINFET یکی از تکنولوژیهای جایگزین است که قادر به طراحی مدار در مقیاس نانو با کارایی بالا و مصرف توان کم است که میتواند با استفاده از فن آوری سازگار با CMOS مانند لیتوگرافی ساخته شود. شیوه عملکرد آن تقریبا شبیه به ترانزیستورMOSFET مرسوم است.FINFET دارای پایه های درین و سورس و یک ترمینال گیت که جریان عبوری را کنترل میکند. در این مقاله با توجه به ساختار و معماری ترانزیستورFINFET، تاثیر تغییرات معماریFIN همچون ضخامت، ارتفاع وتعدادFIN برروی جریانDrain ترانزیستورFINFET مورد بررسی قرار میگیرد. جهت طراحی از ترانزیستو FINFET مدل BSIM-CMG3، دو-گیتی و ساختار FINFET روی BULK با تکنولوژی 16نانومتر و منبع تغذیه 0,2 ولت و برای شبیه سازی از شبیه ساز HSPICE استفاده خواهد شد. مطابق نتایج شبیه سازی با افزایش ارتفاع وضخامت و تعداد FIN، جریانDrain ترانزیستورFINFET افزایش پیدا میکند و بلعکس.

تحلیل تاثیر تغییرات معماری FIN بر جریانDrain در ترانزیستورهای FINFET Keywords:

ترانزیستور FINFET , معماری FINها , مقاومت و خازن پارازیتی , جریانDrain

تحلیل تاثیر تغییرات معماری FIN بر جریانDrain در ترانزیستورهای FINFET authors

تیمور راشدزاده

گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران

سیدمحمدعلی ریاضی

گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران

نجمه چراغی شیرازی

گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران

مقاله فارسی "تحلیل تاثیر تغییرات معماری FIN بر جریانDrain در ترانزیستورهای FINFET" توسط تیمور راشدزاده، گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران؛ سیدمحمدعلی ریاضی، گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران؛ نجمه چراغی شیرازی، گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران نوشته شده و در سال 1398 پس از تایید کمیته علمی پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و مکاترونیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستور FINFET، معماری FINها، مقاومت و خازن پارازیتی، جریانDrain هستند. این مقاله در تاریخ 26 بهمن 1398 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 616 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که تکنولوژیFINFET1 یکی از راه حلهای نهایی برای قانون Moore است اخیراپژوهش های فراوانی برای یافتن جایگزین مناسبی به جای تکنولوژی CMOS صورت گرفته است. تکنولوژی CMOS2 به دلیل داشتن برخی محدودیتها مانند اثر کانال کوتاه، تلفات توان، جریان نشتی و غیره، کاربرد مدارهای الکترونیکی در مقیاس نانو را با چالش جدی روبرو کرده است. ترانزیستورFINFET یکی از تکنولوژیهای جایگزین است ... . برای دانلود فایل کامل مقاله تحلیل تاثیر تغییرات معماری FIN بر جریانDrain در ترانزیستورهای FINFET با 10 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.