مبدل ولتاژ افزاینده DC به وسیله ی مدارهای پمپ بار CMOS با مساحت بهینه شده برای کاربردهای برداشت انرژی
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 530
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ETECH04_037
تاریخ نمایه سازی: 27 بهمن 1398
Abstract:
در این مقاله یک مدار پمپ بار جدید با ولتاژ ورودی پایین، زمان شروع پایین و افزایش ولتاژ هفت برابری نسبت به ولتاژ ورودی در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS برای سیستم های برداشت انرژی طراحی شده است. هدف اصلی این طرح، کاهش مساحت، کاهش ولتاژ آستانه و افزایش ولتاژ خروجی مدار است. مزایای این طرح استفاده از تعداد ترانزیستور کمتر، خازن کوچکتر، تکنولوژی ارزان 180 نانومتر و در نهایت کاهش مساحت مصرفی می باشد. در مدار پمپ بار شش طبقه تکنیک های مختلفی از جمله بایاس بدنه، کنترل با ولتاژ طبقات بعدی و کنترل با ولتاژ طبقات قبلی بکار رفته است. نتایج شبیه سازی با خازن پمپ بار 18pf در هر طبقه و فرکانس کلاک 200KHZ نشان می دهد که ولتاژ ورودی 350mv در کمتر از 0.3ms به 2v می رسد. لی اوت ناحیه فعال دارای مساحتی کمتر از 0.28mm2 است.
Keywords:
افزایش ولتاژ , برداشت انرژی , پمپ بار دو شاخه ای , پمپ بار دیکسون , مبدل ولتاژ افزاینده , مدار پمپ بار
Authors
زهرا کرمی دهکردی
دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه شهرکرد شهرکرد، ایران
سید وحید میرمقتدایی
دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه شهرکرد شهرکرد، ایران