ترانزیستورهای فیلم نازک پلی کریستال اکسید روی

ترانزیستورهای فیلم نازک TFTs ساخته شده از نیمه هادی شفاف، تکنولوژی بسیار مهمی هستند چون نامرئی بودن آنها در طیف نور مرئی ساختار قطعات را ساده تر می کند تمام ساختارهای ترانزیستور فیلم نازک کارایی لازم را ندارند که این بدلیل حضور مرزهای بلور چگال است مامرزهای بلور در ترانزیستور فیلم نازک پلی کریستال اکسید روی را برای تعیین اثرات آن درعملکرد قطعه آنالیز و بصورت دو بعدی شبیه سازی می کنیم ابتدا سد شاتکی دوبل شکل گرفته در مرز بلور و بعد از ارتفاع این سد را که تابعی از چگالی نقایص یا همان تله ها و بایاس گیت است در یک مرز بلوری آنالیز و شبیه سازی می کنیم شبیه سازی را برای ترانزیستور با کانال پلی کریستالی متشکل از چند مرز بلور بسط می دهیم و تفاوتها را در ولتاژ آستانه ، موبیلیته و جریان کانال با تعداد مرزها و تراکم تله متفاوت بررسی می کنیم و از نتایج شبیه سازی قادر خواهیم بود ولتاژ آستانه و موبیلیته کانال را تخمین بزنیم

Keywords:

polycrystallin , TFT , ZnO