طراحی و ساخت حسگر گاز پیوند فلز ت اکسید - فلز به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی

Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,807

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE13_284

تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389

Abstract:

دراین مقاله روش جدیدی درجهت ساخت حسگر گازی مبتنی بر ساختار خازنی فلز ت عایق - فلز MIM ارائه گردیده است ساختار MIM پیشنهادی با لایه نشانی الکتروشیمیایی آلومینیوم برروی سطح آلیاژ کروم - نیکل رشد یافته و پس ازا کسیداسیون حرارتی به عنوان دی الکتریک عمل می کند برای پیوند دیگر گرافیت به عنوان فلز انتخاب گردید و اتصال آن با استفاده از خمیر گرافیت محقق شد. پس از آماده سازی پیوند MIM خاصیت خازنی آن توسط یک مدار اسیلاتور ساده برروی اسیکوسکوپ اثبات شد سپس تغییرات ظرفیت خازن با اعمال گاز به قطعه بررسی گردید. نتایج آزمایشگاهی نشان دادند که ظرفیت این سنسور به ازای 10ppm از گازهای هیدروژن، دی اکسید کربن و مونوکسید کربن به ترتیب به اندازه 7.18% 5.68% و 1.98% افزایش می باید. لذا بالاترین حساسیت را مربوط به گاز هیدروژن و کمترین حساسیت را نسبت به گاز دی اکسید کربن داشت.

Authors

محمد عروتی نیا

دانشکده علمی کاربردی پست و مخابرات

علیرضا ملاح زاده

دانشگاه خلیج فارس بوشهر

فروغ پاک رای

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر دانشکده مهندسی برق

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • کواک، ک.نگ؛ راهنمای کامل ادوات نیمه هادی، دکتر عبدالنبی کوثریان، ...
  • K. Okuyama, N. Takinami, Y. Chiba, S. Kambe, "Al-Al, Oچ-Pd ...
  • Principles Study of Oxygen Firstم [9] R. Ramprasad , Vacancy ...
  • A. Dutta, S. Basu, ،:Modified metal -insulator- metal (M-I-M) hydrogen ...
  • Tatsumi Ishihara, Shogo Matsubara, "Capacitive Type Gas Sensors", Journal of ...
  • hydrogen sensor", J. Appl. Phys., Vol. 76, No. 1, pp. ...
  • Sumio Okuyama, Kazauki Umemoto, Katsuro Okuyama, Shigetoshi Ohshima, Koichi Matsushita, ...
  • Concentration Hydrogen Gas Sensor, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, ...
  • H.M. Gupta, Marta B. Morais, "Theory of Electrical Characteri stic ...
  • Structures", J. Appl. Phys., Vol. 68, No. 1, pp. 176- ...
  • Stefen j. Fonash, _ Equivalent Circuits for MIM Structures", J. ...
  • J. L. Gavartin, D. Munoz Ramo, A. L. Shluger, Lee, ...
  • Vacancies in HfO, _ Charge Traps in High-K Stacks", Appl. ...
  • Gargi Dutta, K. P. S. S. Hembram, G. Mohan Rao, ...
  • _ Meyer, R. Liedtke, R. Waser, "Oxygen Vacancy Migration and ...
  • P. Gonon, C. Valle, _ 0Nonlinearities in the C ap ...
  • Metal -Insulator-Metl Capacitors", Applied Physics Letters, Vol. 90, pp.142906, 2007. ...
  • Stefen j. Fonash, Jean-Alain Roger, Jacques Pivot, Alain Cachard, "Ac ...
  • G. S. Nadkarni, J. G. Simmons, «Electrical Properties of Evaporated ...
  • J.G. Simmons, G. S. Nadkarni, M.C. Lancaster, "Alternating Current Electrical ...
  • J.G. Simmons, G. W. Taylor, «Dielectric Relaxation and Its Effect ...
  • Review B, Vool. 6, No. 12, 4793, 1972. ...
  • نمایش کامل مراجع