ساخت نانوسنسورهای پیزوالکتریک برپایه ی نانوسیم های ZnO
Publish place: 1st National Conference on Nano Science and Technology
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,043
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_396
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
Abstract:
نانوسنسورهای پیزوالکتریک انرژی مکانیکی را در مقیاس نانو به انرژی الکتریکی تبدیل میکنند نانوسیم های ZnO کاربرد وسیعی در ساخت این سنسورها دارند دراین پژوهش ابتدا نانوسیم های ZnO به روش شیمیایی در قالب اکسید الومینیوم اندی متخلخل تولید شده اند در ادامه پس ازاد سازی نانوسیم ها از قالب به منظور ساخت سنسور پیزوالکتریک نانوسیم ها تحت نیروی روبش 2nN در مد تماسی AFM قرار گرفتند در نتیجه تغییر شکل الاستیک نانوسیم ها براثر روبش پتانسیل پیزوالکتریکی درنانوسیم ها ذخیره شده و در ادامه بصورت انرژی الکتریکی ازاد می شود این انرژی به صورت پیکهای ولتاژ در خروجی تست AFM مشاهده می شود ولتاژ خروجی در نتیجه روبش هر نانوسیم ZnO درحدود 30-mv به دست آمده است.
Authors
شیما منتظری نمین
تهران خ حافظ دانشگاه صنعتی امیرکبیر دانشکده مهندسی معدن و متالورژی
پیروز هویدامرعشی
تهران خ حافظ دانشگاه صنعتی امیرکبیر دانشکده مهندسی معدن و متالورژی
شهیار سرامد
تهران خ حافظ دانشگاه صنعتی امیرکبیر دانشکده فیزیک و مهندسی هسته ای
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :