محاسبه ولتاژ شکست اشکارساز PIN برای InP به روش مونت کارلو
Publish place: 1st National Conference on Nano Science and Technology
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 975
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_667
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
Abstract:
با استفاده از یک مدل دو دره ای برای الکترونها و دو باندی برای حفره ها پدیده یونیزاسیون برخوردی و شکست بهمنی در ساختار PIN را برای InP شبیه سازی می کنیم با در نظر گرفتن تقریب کلدیش برای اهنگ یونیزاسیون برخوردی ضریب های یونیزاسیون برخوردی الکترون و حفره در InP را بدست می اوریم و باداده های ازمایشگاهی دیگران مقایسه می کنیم سپس بهره و ولتاژ شکست افزاره را نیز محاسبه کرده و نتیجه شبیه سازی را براساس داده های عملی مورد ارزیابی قرار می دهیم.
Keywords:
Authors
محمد سروش
اهواز دانشگاه شهید چمران دانشکده مهندسی استادیار گروه برق الکترونی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :