سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

کاهش توان مصرفی در مدارهای CMOS با استفاده از تکنیکهای کاهش جریان نشتی و توان Glitch

Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,706

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ISCEE10_025

Index date: 28 November 2011

کاهش توان مصرفی در مدارهای CMOS با استفاده از تکنیکهای کاهش جریان نشتی و توان Glitch abstract

در این مقاله روشی جدید برای کاهش توان مصرفی در مدارهای CMOSمعرفی م یشود. با استفاه از این تکنیک که MILP نامیده می شود، می توان بطور همزمان توان نشتی و توان مصرفی Glitch را در مدارهای CMOS کاهش داد. اشاره به این نکته ضروری است که با استفاده از این متد م یتوان برای هر تاخیر دلخواه ورودی و خروجی، هر دو مولفه ی توان را حداقل کرد. در روش MILP سعی م یشود که تعداد ترانزیستورهایی که دارای ولتاژ آستانه بیشتری هستند ماکزیمم مقدار ممکنه را پیدا کنند، چرا کهترانزیستورهایی که دارای ولتاژ آستانه بیشتری هستند، جریان نشتی کمتری دارا م یباشند. علاوه بر آن به منظور کاهش توان Glitch سعی م یشود که با استفاده از حداقل الما نهای تاخیر ممکنه اختلاف زمانی بین ورودیهای سریع گیت ها و ورودی های کند آنها را به حداقل مقدار ممکنه برسانند. مهمترین خصوصیت این روش آن است که مجموعه محدودیت هایی که در طراحی استفادهمی کند بطور خطی متناسب با تعداد گیت های مدار است، لذا امکان بررسی و بهینه سازی مدارهای بزرگ را فراهم می کند.

کاهش توان مصرفی در مدارهای CMOS با استفاده از تکنیکهای کاهش جریان نشتی و توان Glitch Keywords:

کاهش توان مصرفی در مدارهای CMOS با استفاده از تکنیکهای کاهش جریان نشتی و توان Glitch authors

سجاد پورقصاب شوشتری

آزمایشگاه طراحی مدارات مجتمع فشرده، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی جندی شاپور

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
BPTM: Berkeley Predictive Technology Model. http : //www -device.eecs .berkeley ...
C432 C499 C880 C1355 C1908 C2670 C3540 C5315 C6288 C7552 ...
21 54.12 92.17 115.4 302.8 421.1 388.5 444.4 ...
8 228.1 304.3 405.6 227.8 ...
V. D. Agrawal, :Low Power Design by Hazard Filtering, Proc. ...
V. D. Agrawal, M. L. Bushnell, G Parthasarathy and R. ...
A. P. Chandrakasan and R. W. Brodersen, Loww Power Digital ...
F. Hu, Process- _ riation-resistat D thesis, Auburn dynamic power ...
Y. Lu and V. D. Agrawal, "Leakage and Dynamic Glitch ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "کاهش توان مصرفی در مدارهای CMOS با استفاده از تکنیکهای کاهش جریان نشتی و توان Glitch" توسط سجاد پورقصاب شوشتری، آزمایشگاه طراحی مدارات مجتمع فشرده، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی جندی شاپور؛ محمدمهدی تمدن دار؛ علی عباسیان نوشته شده و در سال 1386 پس از تایید کمیته علمی دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستورCMOS،توان نشتی، توانGlitch،مدلMILP هستند. این مقاله در تاریخ 7 آذر 1390 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 2706 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله روشی جدید برای کاهش توان مصرفی در مدارهای CMOSمعرفی م یشود. با استفاه از این تکنیک که MILP نامیده می شود، می توان بطور همزمان توان نشتی و توان مصرفی Glitch را در مدارهای CMOS کاهش داد. اشاره به این نکته ضروری است که با استفاده از این متد م یتوان برای هر تاخیر دلخواه ورودی و ... . برای دانلود فایل کامل مقاله کاهش توان مصرفی در مدارهای CMOS با استفاده از تکنیکهای کاهش جریان نشتی و توان Glitch با 8 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.