بررسی الکترونی، ساختاری اکسید روی براساس محاسبات DFT + U

در طول دهه های اخیر، مطالعات در خصوص نیمه هادی های با پهنای باند گسترده قابلیت تنظیم، بهشدت گسترش یافته است. یکی از این نیمه هادی ها اکسید روی است. نیمه هادی اکسیدروی به دلیلکاربردهای مختلف عملی مانند فوتوکاتالیست، سنسور، ساخت مدار میکروالکترونیک، دستگاه هایپیزوالکتریک، سلول سوختی، مورد توجه بسیاری از محققان از زمینه های مختلف مانند فیزیک ، شیمیو علوم مواد قرار گرفته اند. اکسید روی ترکیب غی ر آلی و به شکل پود ری سفید رنگ و غیرمحلول در آباست. از نظر شیمیایی پایدار و تقریبا بی ضرر است. در گام نخست به مطالعه ی خواص ساختاری واپتیکی ZnO و مقایسه این خواص با استفاده از تئوری تابع چگالی DFT تحت تقریب GGA پرداختهشد. مشخص گردید که گاف انرژی بدست آمده از این روش اختلاف زیادی به مقدار تجربی دارد. اما بااضافه کردن پارامتر U در محاسبات مقدار گاف انرژی به ۳.۲۲۸eV رسید که بسیار به نتایج تجربینزدیک می باشد. لذا می توان نتیجه گرفت که محاسبات همراه با پارامتر U می تواند دقیقتر انجام پذیرد.

Keywords:

نیمه هادی , اکسید روی , تئوری تابعی دانسیته (DFT)