طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان Doherty در تکنولوژی سی ماس 0/18μm در فرکانس 2/4GHz
Publish place: 20th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,923
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE20_056
Index date: 4 August 2012
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان Doherty در تکنولوژی سی ماس 0/18μm در فرکانس 2/4GHz abstract
در این مقاله، یک تقویت کننده توانDohertyدر فرکانس2/4GHzبا بازده ی توان بالا طراحی و شبیه سازی شده است. برای این منظور از تکنولوژی سی ماس0/18μm و یک منبع ولتاژ 1/8V استفاده شده است. همچنین در بیرون تراشه دو ترانس با نسبت 1:1 برای جداسازی توان بین دو طبق هی این تقویت کننده به کار برده شده اند. برای مجتمع سازی بهتر مدار، خط انتقال هر دو طبقه ی تقویت کننده توسط اجزای سلفی وخازنی پیاده سازی شد هاند. همچنین کلیه ی سل فهای موجود در این مدار از نوع سل فهای مارپیچی انتخاب شد هاند. این تقویت کننده می تواند حداکثر توان خروجی dBm20/9 را با بازدهی 53 % به بار 50 اهم تحویل دهد. همچنین بهره توان این تقویت کننده در فرکانس 2/4GHz برابر باdB 17/3است.
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان Doherty در تکنولوژی سی ماس 0/18μm در فرکانس 2/4GHz Keywords:
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان Doherty در تکنولوژی سی ماس 0/18μm در فرکانس 2/4GHz authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :