سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

مدلسازی ساختارمعلق کم تنش و کاربردهای آن درسیستمهای خازنی بصورت خازن های متغیر صفحه موازی MEMS

Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,141

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

این Paper در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ISCEE15_169

Index date: 23 November 2012

مدلسازی ساختارمعلق کم تنش و کاربردهای آن درسیستمهای خازنی بصورت خازن های متغیر صفحه موازی MEMS abstract

این مقاله مدل و ساختارکاملی ازیک خازن متغیر میکروالکترومکانیک را ارایه میدهد که ازلحاظ تئوری قادر به بدست آوردن محدوده تنظیم نامحدودی است که برای نخستین بار مسائل مربوط به تنش و تنش پسماند بطور همزمان حل شده اند دوخازن طوری ساخته می شوند که ولتاژ تحریک آنها 4.5 و 5 ولت که مطابق با محدوده تنظیم 3:1و3.42:1 است بدست آید برای آنکه خازنهای متغیر مورد نظر در مقایسه با خازنهای متغیر دیگر که با روند یکسان تولید شده اند عملکرد بهتر و محدوده تنظیم بیشتری را داشته باشند شبیه سازی و اندازه گیری ها اصلاح میگردند درادامه مدلی از المان محدود که براساس تطبیق ساختاری الکترواستاتیکی است ارایه می گردد.

مدلسازی ساختارمعلق کم تنش و کاربردهای آن درسیستمهای خازنی بصورت خازن های متغیر صفحه موازی MEMS Keywords:

مدلسازی ساختارمعلق کم تنش و کاربردهای آن درسیستمهای خازنی بصورت خازن های متغیر صفحه موازی MEMS authors

مهدی مرادی

دانشگاه صنعتی مالک اشتر

سعید گودرزی

دانشگاه آزاد قزوین

سجاد قاسملو

دانشگاه صنعتی مالک اشتر

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
[] A. Author 1 and B. Author 2, Title of ...
_ "Title _ Proc. Int. Conf. on Power System Reliability. ...
A. Author 1 and B. Author 2, "Title of the ...
T. Tsang and M. El-Gamal, "Very wide tuning range micro- ...
K. Lee, R. Liu, and B. Kim, "Double beam RF ...
A. Dec and K. Suyama, "A 1.9 GHz CMOS VCO ...
_ _ _ RLC filter with tunable center frequency and ...
_ _ _ _ _ microwave active floating inductor, ; ...
_ _ properties of a _ _ Proc. IEEE ...
J. Y. Park, Y. U. Yee, H. J. Nam, and ...
T. Tsang and M. El-Gamal, "Micro -e lectro mechanical capacitors ...
_ _ _ 1507-1510, June 1999. ...
_ _ _ _ _ no. 4, pp. 497-505, Dec. ...
M. Younis, E. Abdel-Rahman, and A. Nayfeh, "A reduced order ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "مدلسازی ساختارمعلق کم تنش و کاربردهای آن درسیستمهای خازنی بصورت خازن های متغیر صفحه موازی MEMS" توسط مهدی مرادی، دانشگاه صنعتی مالک اشتر؛ سعید گودرزی، دانشگاه آزاد قزوین؛ سجاد قاسملو، دانشگاه صنعتی مالک اشتر نوشته شده و در سال 1391 پس از تایید کمیته علمی پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله تنش پسماند، خازن متغیر، میکروالکترومکانیک، ولتاژ تحریک هستند. این مقاله در تاریخ 3 آذر 1391 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1141 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که این مقاله مدل و ساختارکاملی ازیک خازن متغیر میکروالکترومکانیک را ارایه میدهد که ازلحاظ تئوری قادر به بدست آوردن محدوده تنظیم نامحدودی است که برای نخستین بار مسائل مربوط به تنش و تنش پسماند بطور همزمان حل شده اند دوخازن طوری ساخته می شوند که ولتاژ تحریک آنها 4.5 و 5 ولت که مطابق با محدوده تنظیم 3:1و3.42:1 است بدست ... . این مقاله در دسته بندی موضوعی جوشکاری طبقه بندی شده است. برای دانلود فایل کامل مقاله مدلسازی ساختارمعلق کم تنش و کاربردهای آن درسیستمهای خازنی بصورت خازن های متغیر صفحه موازی MEMS با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.