بررسی مورفولوژی وخواص مغناطیسی نانوسیم های مغناطیسی NiP تولیدشده بهروش رسوب الکتروشیمیایی پس از فرآیند آندایزینگ آلیاژ آلومینیوم ۱۱۰۰

تولید نانوسیم های مغناطیسی به کمک بستر متخلخل ایجاد شده به روش آندایزینگ یکی از موضوعات مهمم درحوزه علم نانو و مهندسی سطح می باشد. در این پژوهش ابتدا با کنترل دقیق دما و شرایط، آندایزینگ در محمیطاسید اگزالیک در ولتاژ ۹۰ ولت انجام شد. سپس با توجه به ماهیت اکسیدی و غیر متخلخل بودن لایه سدی (لایهچسبنده به سطح) با استفاده از کاهش ولتاژ در قسمت نهایی پوشش دهی آندایزینگ ضخامت این لایه به حداقلمقدار ممکن تقلیل یافت. بررسی های XRD و EDS نشان داد که بستر لایه تولیدی متخلخل ماهیت اکسیدی وآمورف دارد. پوشش اکسیدی در این پژوهش حدود ۵۳ میکرومتر ضخامت داشت. در مرحله دوم به کمکروش رسوب الکتروشیمیایی نانوسیم های نیکل فسفر با خاصیت مغناطیسی بسیار مناسب درون لایه آندایز ایجاد شدند. نانوسیم های درون پوشش آندایزینگ دارای ماهیت مخلوط کریستالی آمورف بودند. بررسی خواصمغناطیسی به کمک آزمون VSM انجام گردید و مشاهده شد که وادارنگی مغناطیسی این نانوسیم ها قابل توجهاست و نشان می دهد که این نانوسیم ها مواد مغناطیسی سختی هستند.

Keywords:

آندایزینگ , خواص مغناطیسی , نانوسیم , مورفولوژی , رسوب الکتروشیمیایی.