بررسی کمیت های شیمی محاسباتی در سیستم نانوسیم سیلیکونی خالص و د ارای نقص جهت استفاده به عنوان بیوسنسور

ادغام فناوری نانو با روش های مولکولی فرصت های زیادی را برای طراحی و ایجاد انواع جدیدی از دستگاه هایسنسوری فراهم می کند. در این کار. هدایت نانوسیم های سیلیکونی خالص و دارای نقص به واسطه ترابرد الکترونی(transport electronic) که مسئله_ چالش برانگیزی در سال های اخیر می باشد با در نظر گرفتن ویژگی های ترابردالکترونی با استفاده از نظریه GS-DFT و کد محاسباتی Quantum Espresso بررسی شد. نتایج نشان می دهد کهشکاف انرژی برای نانوسیم سیلیکونی خالص غیر مستقیم است. در ناحیه هدایت. نوارهای انرژی با پهنای باند حدود ۲/۲ تاeV ۳ و پراکندگی زیاد دیده می شود. هیچ رسانایی کوانتومی در محدوده انرزی شکاف باند وجود ندارد. نوارهای رساناییکوانتومی در جایی اتفاق می افتند که باندهای انرژی دارای پرآکندگی بالایی هستند. شکاف نواری نانوسیم سیلیکونی داراینقص و آلاییدگی مستقیم است که این تغییرات تاثیر ب سزایی در هدایت کوانتومی دارد و از آن می توان در بیوسنسورهایمحیط زیستی استفاده کرد.

Keywords:

نانوسیم سیلیکونی , نانوفناوری , شیمی محاسباتی , کوانتوم اسپرسو , بیوسنسور , ترابرد الکترونی , هدایت